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光伏組件用玻璃高壓蒸煮老化試驗箱PCT依據GB/T 41203光伏組件封裝材料加速老化試驗方法設計生產，適用于光伏組件用玻璃、封裝膠膜、背板，其他光伏組件封裝材料參照使用。試驗條件如下∶試驗溫度121℃，相對濕度100%，光伏組件用玻璃試驗時間宜為24h、48h、72h；封裝膠膜推薦試驗時間為24h、48h、72h；光伏背板試驗時間宜為24h、48h。

DR-H308PCT高壓蒸煮老化試驗箱依據GB/T 41203光伏組件封裝材料加速老化試驗方法設計生產，適用于光伏組件用玻璃、封裝膠膜、背板，其他光伏組件封裝材料參照使用。將試樣放入高壓蒸煮老化試驗箱，試驗條件如下∶試驗溫度121℃，相對濕度100%，光伏組件用玻璃試驗時間宜為24h、48h、72h；封裝膠膜推薦試驗時間為24h、48h、72h；光伏背板試驗時間宜為24h、48h。關閉箱門，運行

HAST半導體器件強加速穩態濕熱試驗箱是根據GB/T 4937.4半導體器件機械和氣候試驗方法 第4部分∶強加速穩態濕熱試驗（HAST）設計研發的一款設備，通過施加嚴酷的溫度、濕度和偏置條件來加速潮氣穿透外部保護材料（灌封或密封）或外部保護材料和金屬導體的交接面，來評價非氣密封裝半導體器件在潮濕的環境下的可靠性。

強加速穩態濕熱試驗箱（HAST）是根據GB/T 4937.4半導體器件機械和氣候試驗方法 第4部分∶強加速穩態濕熱試驗（HAST）設計研發的一款設備，通過施加嚴酷的溫度、濕度和偏置條件來加速潮氣穿透外部保護材料（灌封或密封）或外部保護材料和金屬導體的交接面，來評價非氣密封裝半導體器件在潮濕的環境下的可靠性。

金屬接腳沾錫蒸汽老化試驗箱適用于電子連接器、半導體IC、晶體管、二極管、液晶LCD、芯片電阻電容、零組件產業電子零組件金屬接腳沾錫性試驗前的老化加速壽命時間試驗;半導體、被動組件、零件接腳氧化試驗。

芯片電阻電容蒸汽老化試驗箱適用于電子連接器、半導體IC、晶體管、二極管、液晶LCD、芯片電阻電容、零組件產業電子零組件金屬接腳沾錫性試驗前的老化加速壽命時間試驗;半導體、被動組件、零件接腳氧化試驗。

液晶LCD蒸汽老化試驗箱適用于電子連接器、半導體IC、晶體管、二極管、液晶LCD、芯片電阻電容、零組件產業電子零組件金屬接腳沾錫性試驗前的老化加速壽命時間試驗;半導體、被動組件、零件接腳氧化試驗。

晶體管蒸汽老化試驗箱箱適用于電子連接器、半導體IC、晶體管、二極管、液晶LCD、芯片電阻電容、零組件產業電子零組件金屬接腳沾錫性試驗前的老化加速壽命時間試驗;半導體、被動組件、零件接腳氧化試驗。